檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "缺陷".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料,4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料,其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響,輕則元件效率降低重則元件失效,…
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本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討,透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象,以數量級超過數十至百顆的…
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本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討,並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體,藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析,微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響,並…